中國科大在二維材料研究中取得系列進(jìn)展(2017-05-08)

近日，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)合肥微尺度物質(zhì)科學(xué)國家實(shí)驗(yàn)室國際功能材料量子設(shè)計(jì)中心博士崔萍與校內(nèi)外同行合作，揭示了過渡金屬二硫族化合物鋸齒型納米條帶邊緣重構(gòu)的普適性原子尺度機(jī)理；進(jìn)一步，基于所…[詳情]

石墨烯高性能光學(xué)器件研究獲進(jìn)展 石墨烯光電探測(cè)器原理分析(2017-05-08)

【亞洲儀表網(wǎng)】近日，普渡大學(xué)、密西根大學(xué)和賓夕法尼亞州立大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)聲稱，已解決阻礙石墨烯高性能光學(xué)器件的發(fā)展問題，石墨烯高性能光學(xué)器件可用于成像、顯示、傳感器和高速通信。 石墨烯高性能…[詳情]

中科院金銀納米顆粒表面吸附方式及光譜研究獲進(jìn)展(2017-05-05)

將納米粒子吸附到固體基質(zhì)表面上，不僅有利于防止納米粒子發(fā)生團(tuán)聚，保留納米粒子獨(dú)特的光學(xué)、電學(xué)和生物性能，而且可使這些性能與基質(zhì)的優(yōu)良性能相互結(jié)合，產(chǎn)生新的功能。自上世紀(jì)八十年代首次報(bào)道D…[詳情]

金銀納米材料表面生物分子吸附及SERS光譜研究獲進(jìn)展(2017-05-03)

自上世紀(jì)八十年代首次報(bào)道DNA基本結(jié)構(gòu)分子——腺嘌呤在金/銀等納米顆粒表面的表面增強(qiáng)拉曼光譜（SERS）以來，學(xué)界針對(duì)腺嘌呤表面吸附問題開展了大量光譜學(xué)實(shí)驗(yàn)和理論研究，但其在金銀納米…[詳情]

寧波材料所在石墨烯基新型長(zhǎng)壽命鋁離子電池研究中獲進(jìn)展(2017-04-28)

電化學(xué)儲(chǔ)能技術(shù)是解決電動(dòng)汽車與可再生能源并網(wǎng)發(fā)電的關(guān)鍵。以有機(jī)溶劑為電解液的鋰離子電池在能量密度上具有優(yōu)勢(shì)，但存在安全隱患和鋰資源有限的問題。與之相比，水系非鋰離子（如鈉離子、鉀離子、鋅…[詳情]

中科院空間窄線寬激光器自主化研制取得突破性進(jìn)展(2017-04-26)

【亞洲儀表網(wǎng)訊】高精細(xì)度光學(xué)參考腔是研制窄線寬激光器的關(guān)鍵，也是我國空間站科學(xué)應(yīng)用平臺(tái)急需解決的關(guān)鍵技術(shù)之一。近日，中國科學(xué)院國家授時(shí)中心主任、研究員張首剛領(lǐng)導(dǎo)的量子頻標(biāo)研究團(tuán)組在空間窄…[詳情]

合肥研究院等柔性導(dǎo)電高分子材料研究獲進(jìn)展(2017-04-26)

近期，中國科學(xué)院合肥物質(zhì)科學(xué)研究院安徽光學(xué)精密機(jī)械研究所激光技術(shù)中心研究員方曉東課題組和中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)化學(xué)與材料科學(xué)學(xué)院馬明明課題組合作，研發(fā)出具有高的強(qiáng)度、韌性和導(dǎo)電性的仿生多元…[詳情]

中科院空間窄線寬激光器自主化研制取得突破性進(jìn)展(2017-04-25)

高精細(xì)度光學(xué)參考腔是研制窄線寬激光器的關(guān)鍵，也是我國空間站科學(xué)應(yīng)用平臺(tái)急需解決的關(guān)鍵技術(shù)之一。近日，中國科學(xué)院國家授時(shí)中心主任、研究員張首剛領(lǐng)導(dǎo)的量子頻標(biāo)研究團(tuán)組在空間窄線寬激光器的自…[詳情]

中科院空間窄線寬激光器自主化研制取得突破性進(jìn)展(2017-04-25)

高精細(xì)度光學(xué)參考腔是研制窄線寬激光器的關(guān)鍵，也是我國空間站科學(xué)應(yīng)用平臺(tái)急需解決的關(guān)鍵技術(shù)之一。球形超穩(wěn)光學(xué)參考腔　　近日，中國科學(xué)院國家授時(shí)中心主任、研究員張首剛領(lǐng)導(dǎo)的量子頻標(biāo)研究團(tuán)組在…[詳情]

蘇州納米所在GaN基功率器件界面控制研究中取得進(jìn)展(2017-04-25)

氮化鎵（GaN）基高電子遷移率晶體管（HEMT）具有高電流密度、高開關(guān)速度和低導(dǎo)通電阻等優(yōu)點(diǎn)，受到人們的廣泛關(guān)注，使得GaN基HEMT器件成為下一代功率器件強(qiáng)有力的競(jìng)爭(zhēng)者。然而，GaN器件與傳統(tǒng)Si基器件不同…[詳情]