AIN靶材射頻磁控濺射制備AIN薄膜及性質(zhì)研究

      nl一V族半導(dǎo)體氮化物(GaN、AIN、BN、InN)在光學(xué)、電學(xué)和半導(dǎo)體領(lǐng)域具有很大應(yīng)用潛能。氮化鋁(AIN)具有許多突出的物理化學(xué)性能，如寬的直接帶隙(5.9~6.2ev)，大的擊穿場強 (10kV/m)，高的熱導(dǎo)率3。2w/(cm.K)，良好的化學(xué)穩(wěn)定性，高表面聲波速度，高熔點，低的熱膨脹系數(shù)等。這些性質(zhì)使它成為微電子學(xué)和光學(xué)領(lǐng)域內(nèi)光電器件的絕緣層和緩沖層的最佳材料。

     在目前的111一v族半導(dǎo)體氮化物材料研究中，制備高質(zhì)量AIN薄膜是人們關(guān)注的重要問題之一各國學(xué)者利用不同的方法合成具有一定擇優(yōu)取向的AIN薄膜，例如，化學(xué)氣相沉積法 (CvD)，分子束外延法(MBE)，激光燒蝕與沉積法，氣相沉積法等，并取得了一些重要的進(jìn)展。以上方法得到了具有一定應(yīng)用前景的薄膜，但制備工藝復(fù)雜，所需襯底溫度高，有的襯底溫度甚至達(dá)到 1800OC。與以上方法比較而言，射頻磁控濺射法是一種大面積、低成本的薄膜制備技術(shù)。它具有沉積溫度低、可控性強、薄膜結(jié)構(gòu)和表面比較均勻等特點而被廣泛應(yīng)用。

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