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產(chǎn)地:武漢

規(guī)格:PMST2000V/1000A

公司所在地:湖北武漢

電話:18140663476

1993323884  
詳細(xì)信息

大功率半導(dǎo)體器件參數(shù)測試系統(tǒng)的簡單介紹

可以精準(zhǔn)測量IGBT功率半導(dǎo)體器件的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性、uQ級(jí)精確測量、nA級(jí)電流測量能力等特點(diǎn)。支持高壓模式下測量功率器件結(jié)電容,如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。

大功率半導(dǎo)體器件參數(shù)測試系統(tǒng)的詳細(xì)信息

靜態(tài)特性測試挑戰(zhàn)

隨著半導(dǎo)體制程工藝不斷提升,測試和驗(yàn)證也變得更加重要。通常,主要的功率半導(dǎo)體器件特性分為靜態(tài)特性、動(dòng)態(tài)特性、開關(guān)特性。靜態(tài)參數(shù)特性主要是表征器件本征特性指標(biāo),與工作條件無關(guān)的相關(guān)參數(shù),如很多功率器件的的靜態(tài)直流參數(shù)(如擊穿電壓、漏電流、閾值電壓、跨導(dǎo)、壓降、導(dǎo)通內(nèi)阻)等。

功率半導(dǎo)體器件是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式器件,兼有高輸入阻抗和低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn):同時(shí)半導(dǎo)體功率器件的芯片屬于電力電子芯片,需要工作在大電流、高電壓、高頻率的環(huán)境下,對(duì)芯片的可靠性要求較高,這給測試帶來了一定的困難。市面上傳統(tǒng)的測量技術(shù)或者儀器儀表一般可以覆蓋器件特性的測試需求,但是寬禁帶半導(dǎo)體器件SiC(碳化硅)或GaN(氮化鎵)的技術(shù)卻極大擴(kuò)展了高壓、高速的分布區(qū)間。如何精確表征功率器件高流/高壓下的I-V曲線或其它靜態(tài)特性,這就對(duì)器件的測試工具提出更為嚴(yán)苛的挑戰(zhàn)。


更高精度更高產(chǎn)量

并聯(lián)應(yīng)用要求測試精度提離,確保一致性

終端市場需求量大,要求測試效率提高,UPH提升


更寬泛的測試能力
更寬的測試范圍、更強(qiáng)的測試能力

更大的體二極管導(dǎo)通電壓

更低的比導(dǎo)通電阻

提供更豐富的溫度控制方式


更科學(xué)的測試方法

掃描模式對(duì)閾值電壓漂移的影響

高壓低噪聲隔離電源的實(shí)現(xiàn)

高壓小電流測量技術(shù)、高壓線性功放的研究

低電感回路實(shí)現(xiàn)


柔性化測試能力

兼容多種模塊封裝形式

方便更換測試夾具

靈活配置,滿足不同測試需求


PMST系列功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)是武漢普賽斯正向設(shè)計(jì),精益打造的高精密電壓/電流測試分析系統(tǒng),是一致能夠提供IV,CV、跨導(dǎo)等豐富功能的綜合測試系統(tǒng),具有高精度、寬測量范圍、模塊化設(shè)計(jì)、輕松升級(jí)擴(kuò)展等優(yōu)勢,旨在全面滿足從基礎(chǔ)功率二極管、MOSFET. BJT、 IGBT到寬禁帶半導(dǎo)體SiC、GaN等晶圓、芯片、器件及模塊的靜態(tài)參數(shù)表征和測試,并具有卓越的測量效率、一致性與可靠性。讓任何工程師使用它都能變成行業(yè)專家。

針對(duì)用戶不同測試場景的使用需求,普賽斯全新推出PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)、PMST-MP功率器件靜態(tài)參數(shù)半自動(dòng)化測試系統(tǒng)、PMST-AP功率器件靜態(tài)參數(shù)全自動(dòng)化測試系統(tǒng)三款功事器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)。


從實(shí)驗(yàn)室到小批量、大批量產(chǎn)線的全覆蓋

從Si IGBT. SiC MOS到GaN HEMT的全國蓋

從晶圓、芯片、器件、模塊到PM的全覆蓋


產(chǎn)品特點(diǎn)

高電壓、大電流

具有高電壓測量/輸出能力,電壓高達(dá)3500V(最大可擴(kuò)展至10kV)


具有大電流測量/輸出能力,電流高達(dá)6000A(多模塊并聯(lián))


高精度測量


nA級(jí)漏電流, μΩ級(jí)導(dǎo)通電阻


0.1%精度測量


模塊化配置


可根據(jù)實(shí)際測試需要靈活配置多種測量單元系統(tǒng)預(yù)留升級(jí)空間,后期可添加或升級(jí)測量單元


測試效率高


內(nèi)置專用開關(guān)矩陣,根據(jù)測試項(xiàng)目自動(dòng)切換電路與測量單元


支持國標(biāo)全指標(biāo)的一鍵測試


擴(kuò)展性好


支持常溫及高溫測試可靈活定制各種夾具



硬件特色與性能優(yōu)勢

大電流輸出響應(yīng)快,無過沖

采用自主開發(fā)的高性能脈沖式大電流源、高壓源,輸出建立過程響應(yīng)快、無過沖。測試過程中,大電流典型上升時(shí)間為15us,脈寬在50-500μs之間可調(diào)。采用脈沖大電流的測試方式,可有效降低器件因自身發(fā)熱帶來的誤差。

高壓測試支持恒壓限流,恒流限壓模式

采用自主開發(fā)的高性能高壓源,輸出建立與斷開響應(yīng)快、無過沖。在擊穿電壓測試中,可設(shè)定電流限制或者電壓限值,防止器件因過壓或過流導(dǎo)致?lián)p壞。


工作原理

傳統(tǒng)測試系統(tǒng)的搭建,通常需要切換測試儀表和器件連接方式才能完成功率器件I-V和C-V整體參數(shù)測試,而PMST功率器件靜態(tài)物數(shù)測試系統(tǒng)內(nèi)置專用開關(guān)矩陣,根據(jù)測試項(xiàng)目自動(dòng)切換電路與測量單元,同時(shí)可靈活定制各種夾具,從而可以實(shí)現(xiàn)I-V和C-V全參數(shù)的一鍵化測試。只需要設(shè)置好測試條件,將器件故置在測試夾具中,就可以幫助您快速高效且精準(zhǔn)的完成測試工作。


以上是大功率半導(dǎo)體器件參數(shù)測試系統(tǒng)的詳細(xì)信息,如果您對(duì)大功率半導(dǎo)體器件參數(shù)測試系統(tǒng)的價(jià)格、廠家、型號(hào)、圖片有任何疑問,請(qǐng)聯(lián)系我們獲取大功率半導(dǎo)體器件參數(shù)測試系統(tǒng)的最新信息

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