國產(chǎn)半導體參數(shù)分析儀IGBT單管|模塊測試設備的簡單介紹
覆蓋IV,CV,跨導等豐富測試功能,全量程0.1%精度,15us超快上升沿,支持恒壓限流,恒流限壓模式,可定制化夾具,用于晶圓,芯片,器件,模塊及IPM全面測試
國產(chǎn)半導體參數(shù)分析儀IGBT單管|模塊測試設備的詳細信息
普賽斯PMST國產(chǎn)半導體參數(shù)分析儀IGBT單管|模塊測試設備，主要包括測試主機、測試夾具、工控機、上位機軟件等構成。整套系統(tǒng)采用普賽斯自主開發(fā)的測試主機，內(nèi)置多種規(guī)格電壓、電流、電容測量單元模塊。結合專用上位機測試軟件，可根據(jù)測試項目需要，設置不同的電壓、電流等參數(shù)，以滿足不同測試需求。測試數(shù)據(jù)可保存與導出，并可生成I-V以及C-V特性曲線。此外，測試主機可與探針臺搭配使用，實現(xiàn)晶圓級芯片測試；也可與熱流儀、溫控模塊等搭配使用，滿足高低溫測試需求。 測試主機內(nèi)部采用的電壓、電流測量單元，均采用多量程設計，測試精度為0.1%。其中，柵極-發(fā)射極，蕞30V@10A脈沖電流輸出與測試，可測試低至pA級漏電流；集電極-發(fā)射極，蕞大支持6000A高速脈沖電流，典型上升時間為15μs，且具備電壓高速同步采樣功能；蕞高支持3500V電壓輸出，蕞高擴展到12kV，且自帶漏電流測量功能。系統(tǒng)標配C-V測試功能，支持Ciss/Coss/Crss參數(shù)及曲線測試，頻率默認1MHz，可擴展至10MHz
系統(tǒng)特點 高電壓：支持高達3.5KV高電壓測試（蕞大擴展至12kV）；
大電流：支持高達6KA大電流測試（多模塊并聯(lián)）；
高精度：支持uΩ級導通電阻、nA級漏電流測試；
模塊化設計：內(nèi)部采用模塊化配置，可添加或升級測量單元；
測試效率高：可自動切換、一鍵測試；
溫度范圍廣：支持常溫、高溫測試；
兼容多種封裝：根據(jù)測試需求可定制夾具；
系統(tǒng)參數(shù) | 項目 | 參數(shù) | | 集電極-發(fā)射極 | 蕞大電壓 | 3500V(可拓展至12KV) | | 最大電流 | 1000A(可拓展至6000A) | | 準確度 | ±0.1% | | 大電壓上升沿 | 典型值5ms | | 大電流上升沿 | 典型值15μs | | 大電流脈寬 | 50μs~500μs | | 漏電流測試量程 | 1nA~100mA | | 柵極-發(fā)射極 | 蕞大電壓 | 300V | | 蕞大電流 | 1A(直流)/10A(脈沖) | | 準確度 | ±0.05% | | 最小電壓分辨率 | 30μV | | 最小電流分辨率 | 10pA | | 電容測試 | 典型精度 | ±0.5% | | 頻率范圍 | 10Hz~1MHz | | 電容值范圍 | 0.01pF~9.9999F | | 溫控 | 范圍 | 25℃~200℃ | | 準確度 | ±2℃ |
測試項目
二極管：反向擊穿電壓VR、反向漏電流IR、正向電壓VF、 正向電流IF、電容值Cd、I-V曲線、C-V曲線 三極管：V(BR)CEO、V(BR)CBO、V(BR)EBO、ICBO、VCE(sat)、VBE(sat)、IC、IB、Ceb、 增益hFE，輸入特性曲線、輸出特性曲線、C-V特性曲線 Si MOS/IGBT/SiC MOS/GaN HEMT：V(BR)DSS/V(BR)CES、IDSS/ICES、VCE(sat)、RDS(on)、VSD/VF、VGS(th)/、VGE(th)、IGSS/IGES柵極內(nèi)阻Rg、輸入電容Ciss/Cies、輸出電容、Coss/Coes、反向傳輸電容Crss/Cres、跨導gfs、輸出特性曲線、 轉移特性曲線、C-V特性曲線 光耦(四端口以下)：IF、VF、V(BR)CEO、VCE(sat)、ICEO、IR、輸入電容CT、輸出電容CCE、 電流傳輸比CTR、隔離電容CIO
目前，武漢普賽斯儀表有限公司的產(chǎn)品已經(jīng)覆蓋了10pA-6000A、300mV-12KV的電壓電流范圍，并在多個領域展現(xiàn)出絕對優(yōu)勢。特別是在聚焦SiC/IGBT/GaN第三代半導體的電源及測試需求方面，我司在8000V、1000A以上量程及測試性能均處于絕對優(yōu)勢地位。更多有關國產(chǎn)半導體參數(shù)分析儀IGBT單管|模塊測試設備的信息認準普賽斯儀表咨詢
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