存儲(chǔ)器芯片價(jià)格上揚(yáng) 中國(guó)強(qiáng)“芯”補(bǔ)短板

　　
　　存儲(chǔ)器芯片是智能手機(jī)、平板電腦、可穿戴設(shè)備等各種智能終端產(chǎn)品所不可或缺的關(guān)鍵器件，主要功能是存儲(chǔ)程序和各種數(shù)據(jù)，并能在計(jì)算機(jī)運(yùn)行過程中高速、自動(dòng)地完成程序或數(shù)據(jù)的存取，主要有動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM和閃存NANDFlash等類型。
　　
　　儲(chǔ)存器芯片價(jià)格回升
　　
　　今年1月，IBS執(zhí)行長(zhǎng)/資深分析師HandelJones原本預(yù)測(cè)今年晶片產(chǎn)業(yè)將衰退1.5%；而同時(shí)間另一家市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)ICInsights則認(rèn)為今年晶片市場(chǎng)將成長(zhǎng)4%。如今，雙方的意見已逐漸靠攏，ICInsights將2016年晶片市場(chǎng)成長(zhǎng)率預(yù)測(cè)值更新為1%，而2017年成長(zhǎng)率則更正為4%。
　　
　　IBS的分析師Jones表示，DRAM價(jià)格在今年下半年應(yīng)該上漲了20~30%，抵銷了過去約一年來(lái)的衰退；而NAND快閃記憶體的價(jià)格也有所增加，2016年增加幅度達(dá)36.2%，讓整體NAND市場(chǎng)規(guī)模成長(zhǎng)6.2%。他預(yù)期DRAM價(jià)格在2017年只會(huì)小幅下降，NAND價(jià)格則會(huì)維持在0.28~0.35美元的水準(zhǔn)。
　　
　　在其他市場(chǎng)，IBS預(yù)測(cè)資料中心應(yīng)用半導(dǎo)體市場(chǎng)將在2016年成長(zhǎng)12~14%，2017年的成長(zhǎng)水準(zhǔn)大致相同；車用半導(dǎo)體市場(chǎng)在2016年則預(yù)期將成長(zhǎng)13.0%，2017年可成長(zhǎng)10.5%。但Jones表示：“半導(dǎo)體市場(chǎng)在2018年持續(xù)面臨不小的風(fēng)險(xiǎn)，因?yàn)槿騁DP可能會(huì)出現(xiàn)衰退；但2017年該市場(chǎng)有很高的可能性可取得4.6%水準(zhǔn)的成長(zhǎng)率。”
　　
　　如何打破“缺芯之痛”
　　
　　作為全球集成電路領(lǐng)域最大貿(mào)易逆差國(guó)，我國(guó)每年進(jìn)口額超過兩千億美元，而存儲(chǔ)器芯片正是國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)鏈的主要短板，長(zhǎng)期以來(lái)被海外巨頭掌控。從今年第一季度來(lái)看，DRAM市場(chǎng)93%份額由韓國(guó)三星、海力士和美國(guó)美光科技三家占據(jù)，而閃存市場(chǎng)幾乎全部被三星、海力士、東芝、閃迪、美光和英特爾等六家瓜分。
　　
　　由此可見，發(fā)展存儲(chǔ)器不只是滿足市場(chǎng)需求，也是信息安全和產(chǎn)業(yè)安全的戰(zhàn)略需要。為打破“缺芯之痛”，國(guó)內(nèi)多地開始斥巨資布局存儲(chǔ)器芯片研發(fā)生產(chǎn)領(lǐng)域，如湖北成立了集成電路存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)投資基金，福建設(shè)立500億元投資基金支持泉州晉江存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)發(fā)展，合肥、深圳等集成電路產(chǎn)業(yè)基地也正在籌劃設(shè)立基金。各種資金不斷地流入，為國(guó)內(nèi)企業(yè)進(jìn)軍存儲(chǔ)器芯片領(lǐng)域提供了堅(jiān)實(shí)的發(fā)展基礎(chǔ)。
　　
　　除了龐大的資金投入外，中國(guó)科學(xué)院微電子研究所所長(zhǎng)葉甜春還表示，企業(yè)在當(dāng)前新形勢(shì)下發(fā)展存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)，不應(yīng)只是簡(jiǎn)單的追趕，而應(yīng)該更加注重技術(shù)和市場(chǎng)的創(chuàng)新；應(yīng)做好長(zhǎng)期儲(chǔ)備，在資金上確保持續(xù)投入；更重要的是要在立足自身市場(chǎng)特點(diǎn)的基礎(chǔ)上追求世界領(lǐng)先水平。（來(lái)源：互聯(lián)網(wǎng)）