碳納米晶體管性能首次超越硅晶體管 電量多了1.9倍

   芯片制造商現(xiàn)在面臨一定的困難，它們要用更小的制程制造更快的CPU，正因如此，芯片企業(yè)已經(jīng)開始尋找“硅”的替代品（比如碳納米管），碳納米晶體管已經(jīng)超越了硅晶體管，無論從電量還是性能上，碳納米晶體管比硅晶體管高。　　

   近日，美國威斯康星大學的研究人員成功開發(fā)出了碳納米晶體管，其性能大大超越現(xiàn)有的硅晶體管，它能通過的電量比晶體管多了1.9倍。研究人員表示，碳納米晶體管性能超越硅晶體管，這還是第一次。
  據(jù)悉，碳納米管內(nèi)存已經(jīng)走出實驗室，開始投入生產(chǎn)，這是一個振奮人心的消息，如果美國威斯康星大學的研究能夠推廣，NRAM內(nèi)存就可以與碳納米管CPU搭配使用。
  要校準碳納米管在圓晶上的位置、保證其純度是一大挑戰(zhàn)，威斯康星大學在這方面取得了重大進展。研究人員表示，消除金屬雜質是一大關鍵，因為它會破壞碳納米管的半導體性能。
  從理論上講，未來碳納米晶體管的性能可以比硅晶體管高5倍，換言之，如果用在設備中，它的能耗要比硅晶體管低5倍。一旦該技術真正投入使用，就可以開發(fā)出更強大的處理器、讓無線通信速度更快、提高便攜設備的續(xù)航能力。
   碳納米管的市場前景廣闊，然而它已經(jīng)在實驗室沉寂了幾十年，因為碳納米管的應用面臨著技術和經(jīng)濟上的挑戰(zhàn)。令人欣喜的是針對碳納米管的研究仍然在繼續(xù)，而且不斷取得了突破。