早在2004年，六邊形結(jié)構(gòu)石墨烯的發(fā)現(xiàn)證明了單原子層材料的存在。自那以后，科學(xué)家們一直致力于開(kāi)發(fā)利用其他類似材料。早前研究發(fā)現(xiàn)，二硫化鉬能夠作為開(kāi)關(guān)有效控制電流，對(duì)芯片的功能至關(guān)重要。而這一芯片正是采用二硫化鉬材料。

　　然而，如何制成芯片大小的二硫化鉬晶體似乎成為開(kāi)發(fā)過(guò)程中的一大難題。這需要采用化學(xué)蒸汽沉積技術(shù)，制成拇指大小的晶體。原子焚化后作為超薄微晶層存放于“可移動(dòng)”基質(zhì)上，這一基質(zhì)可以是玻璃或者硅。同時(shí)，芯片制作過(guò)程中，電路需蝕刻在材料中。電氣工程副教授、隊(duì)長(zhǎng)艾瑞克•波普(Eric Pop)博士表示：“要想更好、更大規(guī)模地進(jìn)行加工生產(chǎn)，我們還需更多努力，但至少我們有所有的基礎(chǔ)構(gòu)件?！?/P>（來(lái)源：互聯(lián)網(wǎng)）