光電所在低缺陷密度紅外薄膜制備工藝方面取得進展

作者： 2017年10月09日 來源： 瀏覽量：
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中國科學院光電技術研究所薄膜光學技術研究室在低缺陷密度紅外薄膜制備工藝方面取得進展，通過優(yōu)化紅外薄膜的鍍膜工藝，硫化鋅/氟化鐿多層膜的缺陷密度顯著降低。 　　紅外薄膜的缺陷是影響紅外薄膜光學性能和其穩(wěn)定

　　中國科學院光電技術研究所薄膜光學技術研究室在低缺陷密度紅外薄膜制備工藝方面取得進展，通過優(yōu)化紅外薄膜的鍍膜工藝，硫化鋅/氟化鐿多層膜的缺陷密度顯著降低。

　　紅外薄膜的缺陷是影響紅外薄膜光學性能和其穩(wěn)定性的重要因素，受到國內外相關研究人員的關注。光電所研究團隊通過優(yōu)化沉積沉積速率、沉積溫度和沉積方式，顯著降低了多層紅外薄膜的缺陷：多層紅外薄膜的缺陷密度降低了一個數量級。采用低缺陷密度工藝參數制備的164nm高反射膜，反射率大于99.9%，吸收小于100ppm。

　　研究成果發(fā)表在Surface & Coatings Technology上。

圖1.1064nm高反射膜的反射率光譜

圖2.1064nm高反射膜的吸收



 

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