新材料可大幅提高電子存儲速度

　　中國科學家在最新一期美國《科學》雜志上發(fā)表報告說，已開發(fā)出一種新型相變材料，有望將電子產品的存儲速度提高約70倍左右。

　　相關成果由中科院上海微系統(tǒng)與信息技術研究所宋志棠團隊取得。宋志棠等人利用含鈧、銻、碲的合金材料制造出相變存儲器單元(PCRAM)，這一新材料的寫入速度可達700皮秒(一皮秒相當于一萬億分之一秒)。

　　目前可商用的相變存儲器多使用鍺、銻、碲合金材料，其寫入速度極限約為50納秒左右(1納秒等于1000皮秒)。

　　相變存儲器是一種非易失存儲器，可通過脈沖電流讓存儲材料在晶體和非晶體間轉換，以實現(xiàn)讀、寫、擦操作。由于改變的是材料的物理狀態(tài)，斷電后信息不會消失，有效解決了市場常用的動態(tài)隨機存儲器(DRAM)因斷電導致數據丟失的缺點。

　　作為新型相變材料，鈧與碲的化學鍵穩(wěn)定，在非晶體到多晶體轉化過程中，形成穩(wěn)定的“八面體”基元，并迅速“成核”生長為多晶體，使存儲功耗降低，存儲速度提升。

　　宋志棠接受新華社記者采訪時說：“團隊下一步準備將這種材料用于自主開發(fā)的64兆、128兆存儲芯片上，驗證其大容量、高速應用的可行性，這有望大幅提高緩存速度，為中國自主開發(fā)先進存儲器鋪平道路。”